对于双极型晶体管,少数载流子渡越中性基区的时间τB即称为基区渡越时间;它与基区宽度W直接有关:因为 In = Aqnp(x)v(x),dx = v(x) dt, 则得到 τB = ∫o [1/v(x)] dx = ∫o [Aqnp(x)/In]dx ≈ QB / IC 。 对均匀基区晶体管τB = W/ ( 2 Dn );对缓变基区晶体管τB = W / (ηDn),η> 2。对于基区较宽、特征频率fT不是很高的晶体管,τB往往是决定晶体管频率特性的主要因素,这时为了提高频率性能,就应当减小基区宽度(可采用浅结工艺来制作薄的基区)和增大电场因子η(可增加基...